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Micron Technology, Inc.

美国唯一的头部 memory 玩家。HBM TAM 官方口径(2025 年 350 亿美元 → 2028 年 1000 亿美元)正是 CEO Sanjay Mehrotra 给出的。HBM 2026 全年已售罄。三家中中国敞口最低(约 10%),地缘冲击下是 relative beneficiary。但被排除在 NVIDIA HBM4 首发供应名单之外,是关键短板。

HBM 全球市占
~25%
HBM3E 时代
中国敞口
~10%
三家中最低
HBM 2026 全年
已售罄
Mehrotra 公开口径
HBM TAM 官方口径
2028 年 $100B
CEO 锚定
Vera Rubin HBM4
出局
首发不在主供名单
Idaho 新 fab
2025 起爬坡
美国本土产能
归一化收益曲线 · 对比 NVIDIA

MU · 1Y

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▲ 看多论据

bull case
  • 中国敞口最低,地缘 Beta 最低

    美国本土 fab + 客户结构使其受出口管制冲击最小。在 H20 限制 / 长鑫崛起的场景下,Micron 是相对赢家。

  • HBM TAM 的锚定者

    Mehrotra 给出的 2028 年 1000 亿美元 forecast 已成市场基准。Micron 也是这一 forecast 的最大受益叙事方。

  • HBM 2026 全年售罄,业绩可见度高

    前向定价权已锁定,比 Hynix 与 Samsung 更早进入 sold-out 状态。

  • Idaho fab + 美国制造补贴

    CHIPS Act 资金 + 关税壁垒,在美国 AI capex 优先本土化的环境下享有政策溢价。

▽ 看空论据

bear case
  • HBM4 首发出局,HBM4 放量收入兑现延后

    如果 HBM4E 也被排除,HBM 的高增长就会窄化到 HBM3E 一代,估值倍数会被压缩。这是 Micron 当前最大单点风险。

  • 中国市场被进一步限制

    Micron 已被中国部分制裁,若进一步限制,会压低剩余的约 10% 敞口。

  • DRAM 周期翻转

    Micron 比 Hynix 更暴露于普通 DRAM,周期翻转时向下弹性更大。

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